Samsung дунёда биринчи бўлиб 10 нанометрли чиплар ишлаб чиқаришни бошлади
Samsung дунёда биринчи бўлиб 10 нанометрли техник жараён асосидаги чиплар ишлаб чиқаришни йўлга қўйди. Бу каби режалар Intel’да бор эди, аммо у ишлаб чиқаришни 2017 йилда бошлайдиган бўлди, деб хабар беради «Hich-Tech.Mail.ru».
10 нанометр ўлчамдаги затворга эга Samsung чиплари Qualcomm Snapdragon 830 процессорлари учун асос бўлиб хизмат қилади.
Экспертларнинг фикрича, бозорда Samsung Galaxy S7 ва S7 edge’нинг ўрнини эгаллайдиган смартфонлар, шунингдек, энг оммабоп планшетлар айнан шунақа процессорларга эга бўлади.
Intel’нинг энг ихчам чипи 14 нанометр ўлчамдаги транзисторларда ясалади. Бугунги кунда бозорда мавжуд чипларнинг аксарияти 20 нанометрли транзисторларга эга.
Intel илгарироқ чипларда кремний қўллашдан воз кечиб, 2016 йил охиригача 10 нанометрли техник жараёнга ўтишини маълум қилган эди, аммо режалар қайта кўриб чиқилди.
Бундан ташқари, Тайваннинг Apple учун чип ишлаб чиқарувчи TSMC компанияси 2017 йилдан 7 нанометрли чипларга ўтиш ниятини ошкор қилди.
